闪存演进之路
闪存的兴起与发展历经50余年，1967年被称为“半导体元年”。贝尔实验室的江大原和施敏博士共同发明了——浮栅MOSFET，所有闪存、EEPROM、EPROM的基础。1970-1984年，第一款EPROM、EEPROM诞生。闪存之父FujioMasuoka博士称芯片内容可在相机闪光（flash）的瞬间被擦除，闪存由此得名。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司，1988年Intel推出了一款256Kbit闪存芯片。此后Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存，第二种闪存称为NAND闪存NOR闪存的替代者，由日立公司于1989年研制，更小的储存空间更好的性能。
2012年三星创造3DNAND推出第一代3DNAND闪存芯片，半导体进入立体堆叠时代。
2020年英伟达收购ARM，有业内分析师认为全球半导体格局可能就此改变，如今闪存的故事还在继续。
