光刻机将成为历史!
前不久麻省理工华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管,每个晶体管只有3个原子的厚度,堆叠起来制成的芯片工艺将轻松突破1nm!
目前的半导体芯片都是在晶圆上通过光刻/蚀刻等工艺加工出来的三维立体结构,所以堆叠多层晶体管以实现更密集的集成是非常困难的。先进制程工艺的发展也在1~3nm这里停顿了很长一段时间。
但是由超薄2D材料制成的半导体晶体管,单个只有3个原子的厚度,可以大量堆叠起来制造更强大的芯片,配合一种不会损坏芯片的低温生成工艺,可直接将2D半导体晶体管集成在标准硅电路之上。
该技术不需要光刻机就可以使芯片轻松突破1nm工艺,且能减少芯片生成时间,降低生产成本。若光刻机技术长时间无法突破1nm工艺,那么光刻机或许就会成为历史。
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