前文介绍了MOS管工作原理，本文接着讲MOS管开关电路设计。MOS管可以分为增强型和耗尽型，增强型又分为P沟道和N沟道，耗尽型也分P沟道和N沟道，实际应用中我们所说的NMOS和PMOS都是指，N沟道和P沟道增强型的MOS管。所以我们说的MOS管都是这两种类型。对于这两种MOS管，我们比较常用的是NMOS，原因如下：
1、导通电阻小，可以做到几个毫欧的电阻，传导损耗小。
2、输入电阻非常高，能够达到上亿欧姆，几乎不计电流。
3、开关速度快，开关损耗低，特别适合做开关电源。
4、较强的电流处理能力。
MOS管的三个脚之间都是存在寄生电容的，这个不是我们能够改变的，由于制造工艺产生的，所以在电路设计的时候会有一些我们必须要考虑的因素。图一中可以看到NMOS和PMOS两种管的的区别。
图一
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。如图二所示
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。如图二所示
图二
导通条件：Vgs＞Vth，R1,R2的作用是为了给G,S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G,D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth，MOS管依然能够起到一个开关左右。
需要注意的事项：
1、IO口的最大驱动峰值电流，不同芯片的IO口驱动能力不一样。
2、了解MOS管的寄生电容，如果寄生电容值较大，导通需要的能量越大，如果IO口的输出电流峰值较小，管子导通就比较慢。
图三
这里我们使用NPN和NMOS管进行开关设计如图四,当Q2输入低电平时候，三极管Q2不导通，MOS管Q1的Vgs=0，MOS管Q1不导通。当Q2输入电平为高时候，三极管导通，MOS管Q1的Vgs大禹Vth，MOS管Q1导通。由于MOS管导通的
图四
需要注意事项：
1、注意MOS管 D,S之间的二极管的方向，不导通的时候，二极管方向应该与电源输出方向相反。
2、由于MOS管导通的时候存在内阻，所以MOS管输出电压小于实际输入电压。
总结以上知识,在选MOS管做开关时,首先选MOS管的Vds电压,和其Vth开启电压,再就是Id电流值是否满足系统需要,虽然在这些都满足的条件下，我们也不能忘记关于MOS管的所产生的寄生电容，当我们选择的控制IO口由于带载能力较弱，而MOS管之间存在较大的寄生电容，这个时候我们的开关就不能即使响应，然后再考虑封装了,功耗了,价格了之类次要一些的因素了,以上是用N沟道MOS管做的例子,P沟道的其实也是基本上一样用的。
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